体系总览一、雪崩二极管三大类型号体系
雪崩二极管（Avalanche Diode）的型号并非一个编号，而是覆盖整流、保护与光电三大用途的庞大家族：雪崩整流管（Avalanche Rectifier）、雪崩TVS瞬态抑制管（Silicon Avalanche Diodes）、雪崩光电二极管（APD）。同一雪崩击穿物理效应，在三种器件上分别兑现为"雪崩能量吸收""浪涌钳位"与"光电流倍增"三种工程价值，因此型号参数维度也完全不同。——火烈鸟站长知识库整理自Vishay、Littelfuse、滨松数据手册
顺海科技发布的《雪崩二极管型号一览表》将1N4007、1N4148、BAT54、1N5819等常规二极管一并列入"雪崩二极管"，为采购提供了初步检索入口；但严格按数据手册界定，这些器件并未标称Avalanche特性，只是偶发雪崩击穿不易立即损坏。真正意义上的雪崩二极管型号，官方数据手册中一定明确标注"Avalanche"字样——例如Vishay的"Standard Avalanche Sinterglass Diode"（标准雪崩烧结玻璃二极管）。——顺海科技《雪崩二极管型号一览表》、Vishay数据手册
按厂商与用途划分，常见型号体系为：①整流/稳压类JEDEC 1N系列（1N5624-1N5627、1N5059-1N5062、1N5938B、1N5374B）；②TVS类1N系列（力特1N60系列1N6036-1N6072A、美高森美1N56系列1N5629A-1N5665A）；③APD类厂商系列（滨松S系列、First Sensor AD系列、Excelitas C30902系列）。三大体系命名逻辑、参数重心与封装形态各异，下文逐一拆解。——ICPDF网、Microsemi（美高森美）数据手册、滨松光子学官网
整流管二、雪崩整流二极管型号：1N5624-1N5627与1N5061
2.1 Vishay 1N5624-1N5627：标准雪崩烧结玻璃二极管
1N5624-1N5627是Vishay（威世）的Standard Avalanche Sinterglass Diode（标准雪崩烧结玻璃二极管）系列，数据手册文档号86063。四个型号对应重复峰值反向电压VRM为200V/400V/600V/800V（1N5624=200V、1N5625=400V、1N5626=600V、1N5627=800V），平均正向电流IF为3A，浪涌电流IFSM约100A，封装为SOD-64烧结玻璃轴向引线。——Vishay数据手册86063、51电子网、云汉芯城1N5625-TAP参数页
该系列的核心卖点是"可控雪崩特性"（controlled avalanche）：结面经玻璃钝化处理，密封无腔体，反向电流低、浪涌电流承载能力高，可在雪崩击穿区安全吸收瞬态能量而不烧毁——这正是它区别于普通3A整流管（如3A1000V的常见轴向整流管）的关键。其特点清单原文为"玻璃钝化结、密封包装、控制雪崩特性、低反向电流、高浪涌电流负载"。——Vishay数据手册86063（Rev.1.6, 22-Feb-18）、51电子网转载
2.2 Vishay 1N5061：600V/2A标准雪崩烧结玻璃二极管
1N5061属于Vishay 1N5059-1N5062系列（数据手册文档号86000），四个型号的VRM为200V/400V/600V/800V，其中1N5061额定600V、平均正向电流2A、正向压降典型1.0V、反向恢复时间约4µs、浪涌电流IFSM 50A，封装为SOD-57（DO-15）玻璃轴向。立创商城对该型号的描述为"标准雪崩烧结玻璃二极管：玻璃钝化结、密封轴向引线玻璃外壳、可控雪崩特性、低反向电流、高浪涌电流负载"，并标注其可应用于整流与通用电路。——Vishay数据手册86000、Newark 1N5061-TR参数、立创商城1N5061TR商品页
1N5061的工程定位是"高反压+可控雪崩"的通用整流替代：在反激电源、继电器驱动、电机堵转等会产生感性反冲尖峰的电路中，雪崩型整流管能直接吸收超出反向耐压的瞬态能量，避免普通整流管被击穿损坏。选型时若电路反压裕量不足，用1N5061替换普通600V/2A整流管即可显著提升可靠性。——立创商城、Vishay数据手册
2.3 1N5938B与1N5374B：高压硅雪崩（稳压）二极管
1N5938B是安森美（onsemi）出品的3W齐纳二极管，标称稳压值36V、容差±5%、DO-41轴向封装，属于1N5913B-1N5956B 3W系列；1N5374B则属于1N5333B-1N5388B 5W系列，Diotec给出的参数为稳压值75V（Vz范围70-79V）、功率5W、DO-201封装。由于二者的击穿电压都远超约6.2V的齐纳/雪崩机制分界点，其工作机理实为雪崩击穿——维库电子通因此将1N5374B定义为"常见的高压硅雪崩整流二极管"，强调其反向恢复时间短、正向压降低、热稳定性好，用于电源转换与浪涌保护。——onsemi数据手册（1N5938B: 36V 3.0W Zener）、Diotec官网1N5374B产品页、维库电子通wiki
保护管三、雪崩TVS二极管型号：1N60系列与1N56系列
3.1 Littelfuse 1N60系列：1N6036-1N6072A双向1500W
Littelfuse（力特）的1N60系列数据手册标题即"Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors"（硅雪崩二极管-1500瓦金属轴向引线瞬态电压抑制器）。系列型号为1N6036至1N6072A，特点原文包括：气密密封（Hermetically sealed）、击穿电压范围6.8-200V、玻璃钝化结（Glass passivated junction）、出色的钳位能力（Excellent clamping capability）、低齐纳阻抗、100%浪涌测试、工作温度-55~+150°C、双向（Bi-directional）。——Littelfuse 1N60系列数据手册（ICPDF网中文资料页）
额定值方面：峰值脉冲功率Ppk为1500W（10×1000µs波形，25°C）、稳态功耗1W、理论响应时间1×10⁻¹²秒、封装为金属气密DO-13轴向引线、重量约1.5g、通过UL认证（档案号E128662）。型号后缀"A"表示5%电压精度档，无后缀为10%档，标注"*"的为优选电压。以低压档1N6036A为例，其反向截止电压VR约5.5V、击穿电压VBR约6.75-8.25V（测试电流IT=10mA）。——Littelfuse 1N60系列数据手册、Elemon《Silicon Avalanche Diodes - 1N60 Series》
3.2 Microsemi 1N56系列：1N5629A-1N5665A单向1500W
1N56系列（1N5629A直通1N5665A）是Microsemi（美高森美，现Microchip）的JEDEC注册单向TVS系列，数据手册明确写道"1500 Watt Unidirectional Transient Voltage Suppressor"：峰值脉冲功率1500W@10/1000µs、瞬态钳位时间小于100微微秒（<100ps）、反向工作电压VRWM范围5V至171V、气密密封DO-13（DO-202AA）金属封装、重量约2.3g、工作与存储温度-65~+175°C、正向浪涌电流200A（8.3ms正弦半波）。——Microsemi（Microchip）1N5629-1N5665A数据手册、51电子网转载
该系列面向军用与工业高可靠场景：可加JAN/JANTX/JANTXV前缀提供军品等级（如JANTXV1N5629A），按MIL-PRF-19500筛选；符合IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）与IEC 61000-4-5（次级雷击，42Ω/12Ω/2Ω源阻抗分1-4类）标准。其双向对应版本正是上文1N6036-1N6072A系列，贴片等效型号为SMCJ5.0-SMCJ170CA（或SMCG系列），塑料轴向等效为1N6267-1N6303A系列。——Microsemi 1N5629-1N5665A数据手册
独特观点：1N60系列与1N56系列是"同一物理器件的一对阴阳"——同为DO-13金属轴向1500W雪崩TVS，1N56是单向（整流式），1N60是双向（背靠背式）。采购时记住"56单60双"的口诀，再核对VRWM/VBR/VC三电压，就能避开绝大多数混用错误。——火烈鸟站长知识库行业观察
光电APD四、APD光电二极管型号：滨松S系列、First Sensor AD系列、Excelitas C30902
4.1 滨松Hamamatsu S系列：S2381与S5345
滨松光子学（Hamamatsu）的Si APD按用途分为多档。S2381是"面向800nm波段的低偏压Si APD"（Low bias operation, for 800 nm band），有效受光面φ0.2mm（0.03mm²）、TO-18金属封装、硼硅玻璃窗口、工作温度-20~+85°C；击穿电压按后缀分三档：-01（80-120V）、-02（120-160V）、-03（160-200V），数据手册给出的典型应用为空间光传输（Spatial light transmission）与测距仪（Rangefinder）。——滨松光子学S2381数据手册（HAMAMATSU, 4 Pages）
同族的S2385（φ5mm、TO-8）数据为光谱响应400-1000nm、峰值波长800nm、光灵敏度0.5A/W（M=1@800nm）、量子效率QE 75%，可视为800nm家族的"大口径成员"。S5345则是滨松的"短波长类型APD"（低偏压操作）：受光面φ5mm、金属TO-8封装、最大灵敏度波长620nm、灵敏度波长范围200-1000nm、光灵敏度0.42A/W（M=1@620nm）、暗电流最大30nA、截止频率8MHz、结电容300pF、击穿电压典型160V、增益典型50——专为紫外至可见光波段高灵敏度低噪声探测设计。——滨松光子学官网S5345产品页（hamamatsu.com.cn）
4.2 First Sensor AD系列：AD230-9/AD500-9等
First Sensor（德国）的APD按芯片工艺分Series-8（面向750-820nm高速应用，如AD230-8可达2.3GHz带宽）与Series-9（面向750-930nm低上升时间应用）。Series-9家族典型参数：响应波长400-1100nm、最佳增益50-60、905nm处响应度52-58A/W（M=100）、暗电流0.5-60nA（M=100）、上升时间0.5-3.0ns；型号按光敏面直径扩展——AD230-9（φ0.23mm，0.5nA，0.5ns）、AD500-9（φ0.5mm，0.8nA，0.55ns）、AD800-9（φ0.8mm，2nA，0.9ns）、AD1100-9（φ1.13mm，4nA，1.3ns）、AD1500-9（φ1.5mm）、AD3000-9（φ3mm，30nA）、AD5000-9（φ5mm，60nA，3.0ns），封装覆盖TO-52S1/TO-5i/TO-8i金属罐与LCC6.1贴片。——First Sensor APD数据手册、北京光飞逸科技AD系列参数表
AD系列在750-910nm具有较高量子效率、低噪声与快上升时间，是905nm激光雷达（LiDAR）与激光测距仪的经典选择；带滤波片版本（如AD500-9-TO52S1F2）与带前置放大版本（AD500-9-8015-TO52）可简化系统光学与电路设计。——First Sensor、光飞逸科技产品中心
4.3 Excelitas C30902E/EH：贯通式（Reach-Through）APD
Excelitas（埃赛力达，原PerkinElmer）C30902系列是经典的贯通式（Reach-Through）结构Si APD，采用双扩散穿透式芯片，在400-1000nm范围内提供高响应度，且响应在800MHz以下基本与调制频率无关。C30902E/EH采用改进型TO-18封装、平玻璃窗密封，有效直径0.5mm、感光面积0.2mm²，击穿电压典型225V、推荐增益150、800nm处响应度80A/W（C30902EH-2带滤光片版本为905nm处66A/W）、暗电流7nA、结电容1.5pF、温度系数0.7V/°C、暗噪声0.1pA/√Hz、等效噪声功率1.23fW/√Hz。——Excelitas C30902 Family数据手册、114ic电子网C30902E/EH中文资料
C30902家族还衍生出具备单光子探测能力（SPAD）的C30902SH系列，可在盖革模式（Geiger mode）与线性模式间工作；该系列广泛用于弱光探测、光子计数、激光雷达与高能物理实验。选型时注意C30902E（基础型）与C30902EH（高响应增强型）的光窗与滤光片差异。——Excelitas C30902 Family数据手册、114ic电子网
命名规则五、型号命名规则解读：1N系列、S系列与AD系列
JEDEC的"1N+数字"注册编号是整流管与TVS的主流命名：1N5624、1N5061、1N6036A、1N5629A等均为JEDEC注册号，同一系列按电压递增分配连续编号，后缀字母（A）表示精度或筛选等级。但"1N"前缀并不保证用途一致——1N5624是整流管，1N6036A是TVS，1N5938B是稳压管，三者电压与功能完全不同，查型号必须回到数据手册原文核对。——JEDEC注册编号规则、Vishay/Littelfuse/Microsemi数据手册
APD厂商系列则使用厂商自定义编码：滨松用"S+数字"（S2381、S5345，S后数字越大通常光敏面越大或系列越新）；First Sensor用"AD+数字"（AD即Avalanche Diode的首字母缩写，-9后缀表示Series-9工艺，数字表示光敏面直径如500即0.5mm）；Excelitas用"C30xxx"（C30902E中E表示Enhanced增强型，H表示高响应）。读懂厂商编码前缀，就能在拿到型号的第一时间判断器件家族与大致光敏面尺寸。——滨松光子学选型指南、First Sensor数据手册、Excelitas产品页
独特观点："1N60"是型号命名中最大的"同名陷阱"：锗点接触检波管1N60是微波/射频检波名器，力特1N60系列却是1500W双向雪崩TVS；同理"1N56"在JEDEC体系里也可能指向其他厂商的稳压管。采购雪崩二极管型号，唯一可靠的裁决者永远是官方数据手册首页的功能描述。——火烈鸟站长知识库行业观察
参数对比六、关键参数对比：三类型号分别看什么
雪崩整流管的核心参数是电压与能量：重复峰值反向电压VRM/击穿电压VBR、平均正向电流IF、浪涌电流IFSM、可吸收的雪崩能量（EAS，数据手册常以"可控雪崩特性"表述）、反向恢复时间trr与正向压降VF。整流管选型先看"反压×电流"能否覆盖电路工作点，再看雪崩能力能否吸收感性尖峰。——Vishay数据手册86063/86000
雪崩TVS的核心参数是钳位三件套：反向工作电压VRWM（电路正常工作电压必须低于它）、击穿电压VBR（触发雪崩的门槛）、最大钳位电压VC与峰值脉冲电流IPP（决定钳位效果），以及峰值脉冲功率PPP（1N60/1N56系列均为1500W@10/1000µs）与单向/双向极性。TVS选型要保证VRWM≥电路工作电压、VC≤被保护器件耐压。——Littelfuse 1N60系列、Microsemi 1N56系列数据手册
APD的核心参数是光电六要素：响应波长范围与峰值波长（决定能否"看见"光源）、光敏面直径（决定收光能力与耦合难度）、增益M（S5345为50、C30902EH推荐150）、响应度（A/W，如S5345为0.42A/W@M=1、C30902EH为80A/W@800nm）、暗电流（S2381约0.05nA级、S5345最大30nA）与带宽/结电容。APD选型顺序是"波长→光敏面→增益→暗电流→带宽"。——滨松光子学官网、Excelitas数据手册、First Sensor数据手册
对比表七、雪崩二极管型号对比表
| 型号 | 类型 | 击穿/工作电压 | 电流-功率 | 封装 | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5624-1N5627 | 雪崩整流（Vishay Sinterglass） | VRM 200/400/600/800V | 3A / IFSM约100A | SOD-64玻璃轴向 | 高反压整流、感性负载保护 |
| 1N5061 | 雪崩整流（Vishay） | VRM 600V | 2A / IFSM 50A | SOD-57（DO-15） | 通用整流、浪涌耐受 |
| 1N5938B | 稳压/雪崩（onsemi） | Vz 36V | 3W | DO-41 | 稳压、电压基准 |
| 1N5374B | 稳压/雪崩（Diotec等） | Vz 75V（70-79V） | 5W | DO-201 | 高压稳压、雪崩吸收 |
| 1N6036A-1N6072A（1N60系列） | 雪崩TVS双向（Littelfuse） | VBR 6.8-200V | 1500W@10/1000µs | DO-13金属轴向 | 双向浪涌钳位、ESD/EFT |
| 1N5629A-1N5665A（1N56系列） | 雪崩TVS单向（Microsemi） | VRWM 5-171V | 1500W@10/1000µs | DO-13金属轴向 | 单向浪涌钳位、军品级保护 |
| S2381 | Si APD（滨松） | VBR 80-200V分档 | φ0.2mm、0.03mm² | TO-18 | 800nm空间光通信、测距 |
| S5345 | Si APD短波长型（滨松） | VBR 160V | 增益50、φ5mm、0.42A/W | TO-8 | UV-VIS探测、荧光测量 |
| AD500-9（AD系列） | Si APD（First Sensor） | — | 增益50-60、φ0.5mm、52A/W@905nm | TO-52S1/LCC6.1 | 905nm激光雷达、激光测距 |
| C30902E/EH | 贯通式APD（Excelitas） | VBR 225V | 增益150、0.2mm²、80A/W@800nm | TO-18 | 弱光探测、光子计数、LiDAR |
上表数据均来自各厂商官方数据手册或授权渠道，具体数值请以最新数据手册为准；表中"击穿/工作电压"对整流管取VRM、对TVS取VBR或VRWM、对APD取击穿电压VBR，参数维度不同，横向比较时注意区分。——Vishay/onsemi/Diotec/Littelfuse/Microsemi/滨松/First Sensor/Excelitas数据手册综合整理
封装对应八、直插与贴片型号对应关系
雪崩整流管以轴向直插为主：1N5624-1N5627为SOD-64烧结玻璃轴向，1N5061为SOD-57（DO-15）轴向，1N5938B为DO-41、1N5374B为DO-201。轴向玻璃封装气密性好、热阻低，适合高反压与大浪涌场景；若需贴片化，可选用同参数等级的SMA/SMB/SOD-123封装整流管，但需核对浪涌能力是否满足要求。——Vishay数据手册、立创商城封装资料
TVS的直插/贴片对应最成熟：Microsemi官方明确给出1N56系列（DO-13轴向）的贴片等效为SMCJ5.0-SMCJ170CA（SMC封装）或SMCG系列，塑料轴向等效为1N6267-1N6303A系列；而SMBJ/SMCJ等SMB/SMC贴片TVS同样利用雪崩击穿钳位，与1N60/1N56系列属于同一物理机制下的不同封装形态。1500W贴片档（如1.5SMBF/1.5SMC系列）在功率上与1N60/1N56轴向档位对应。——Microsemi 1N5629-1N5665A数据手册、顺海科技TVS产品线
APD的封装以金属罐为主：TO-18（S2381、C30902E/EH）、TO-8（S2385、S5345）、TO-52S1/TO-5i/TO-8i（First Sensor AD系列），贴片版本如AD230-9 SMD采用LCC6.1陶瓷无引线封装。APD封装的核心不是"直插还是贴片"，而是光窗材料、受光面与引线寄生参数——高带宽应用优先低寄生TO封装。——滨松光子学、First Sensor、Excelitas数据手册
采购鉴别九、采购与鉴别：丝印、正品、批次与价格
丝印识别是第一道关：1N系列轴向器件本体印刷完整型号（如1N5626、1N6036A），TVS有极性色带（单向TVS阴极色带明显，1N60/1N56系列在DO-13金属罐上以二极管符号标注极性）；APD的TO金属罐顶盖为透光窗口，窗口内可见芯片受光面，型号与批号丝印于罐体侧面。——Microsemi 1N5629-1N5665A数据手册"标记"章节、滨松数据手册外形图
正品与翻新鉴别：优先通过立创商城、Digi-Key、Mouser等授权渠道采购；到货后用晶体管测试仪或源表实测VBR（整流/TVS管）或偏压-增益曲线（APD），与数据手册典型值比对；翻新件常见问题是丝印模糊、引脚氧化、参数离散大。APD类器件对工艺敏感，拆机/翻新件暗电流与增益一致性极差，严禁用于精密探测系统。——立创商城品控说明、火烈鸟站长知识库采购经验
批次一致性：雪崩整流管与TVS的VBR存在批次离散（±5%精度档已属严格），大批量采购应索要批次报告，抽样实测VBR分布；APD的光敏面直径、暗电流与增益一致性直接决定多通道系统（如线阵LiDAR）的通道均衡，务必同批次采购。价格方面：通用雪崩整流管（如1N5061）单价通常在个位数元以内，DO-13金属气密封装的1N60/1N56军品级TVS单价可达数十元，APD（滨松S5345、Excelitas C30902系列）多为百元级——以上均为参考价，以市场实时为准。——火烈鸟站长知识库整理，参考价以市场实时为准
误区辨析十、常见误区：型号选择中的三个大坑
误区一：1N60是微波管？错。大众熟悉的"1N60"是锗点接触检波管，常用于微波/射频检波；但在雪崩二极管型号语境下，力特Littelfuse的1N60系列（1N6036-1N6072A）是1500W双向雪崩TVS，二者除型号前缀相同外毫无关联。采购前必须先确认数据手册标题，避免"拿TVS当检波管"的乌龙。——Littelfuse 1N60系列数据手册、ICPDF网
误区二：雪崩整流管＝普通整流管？错。普通整流管（如未标称Avalanche的整流管）反向电压超限即发生不可控雪崩击穿并烧毁；雪崩整流管的结面经玻璃钝化与均匀结设计，能在雪崩区安全工作并吸收浪涌能量（EAS能力），二者可靠性边界完全不同。替换使用时，普通整流管必须留足反压裕量，而雪崩型可容忍瞬态过压。——Vishay数据手册86063/86000、维库电子通
误区三：APD型号都能通用？错。APD的光谱响应由芯片工艺决定：S5345是200-1000nm短波长型（620nm峰值），S2381面向800nm波段，First Sensor AD系列面向750-930nm（905nm峰值，适配激光雷达），C30902E覆盖400-1000nm。用905nm光源配620nm峰值的探测器，灵敏度将断崖式下跌；波长不匹配的APD型号不能互换。——滨松光子学官网、First Sensor、Excelitas数据手册