碳化硅肖特基二极管型号大全：C6D/IDH/SCS/STPSC与国产系列对照

命名规则一、型号命名规则：一串字母数字里藏着全部关键信息

碳化硅肖特基二极管的型号并非随意编号，而是遵循厂商统一的编码体系——通常由「厂商/系列代号 + 电压电流数值 + 封装后缀」组成。读懂命名规则，等于拿到了一颗器件80%的关键参数，无需打开数据手册就能判断它是否适合你的应用。——Wolfspeed官网「SiC Schottky Diodes」产品分类页

以最经典的Wolfspeed型号C6D20065A为例：C6D表示第六代（Gen6）碳化硅肖特基二极管，200表示额定电流20A（数值除以10），65表示耐压650V（数值乘以10），末尾A表示TO-220-2插脚封装。按此规律，C6D10065E就是650V/10A的TO-252（DPAK）贴片封装，C6D08065G是650V/8A的TO-263（D2PAK）封装。——Wolfspeed官网「C6D20065A」数据手册

其他主流厂商的命名逻辑如下，各自独立但思路一致：英飞凌IDH/IDW（I=Infineon、D=Diode、H=通孔TO-220、W=TO-247，后缀C6/C5表示第6代/第5代工艺）、罗姆SCS（S=SiC、C=Schottky、S=series，首位数字2=650V档、3=1200V档）、ST STPSC（STP=ST Power、SC=SiC，H=高浪涌）、泰科天润G5S（G5=第5代工艺、S=Schottky）、基本半导体B1D（B=Basic、1=第1代、D=Diode）、海兰江HCF（H=海兰江、C=碳化硅、F=二极管）。——英飞凌官网「IDH10G65C6」产品页、罗姆官网「SCS210AG」数据手册、ST官网「STPSC20H12」产品页

独特观点：型号后缀字母本质上是「封装即散热路径」的索引——A/H对应TO-220、W对应TO-247、E对应TO-252、G对应TO-263，读型号比查手册更快锁定PCB布局约束；而型号中的「代际数字」（如C3D→C6D）并不代表性能线性提升，更多是单位芯片面积导通损耗与漏电的平衡优化，选型时应以参数而非代数论英雄。——火烈鸟站长知识库整理

Wolfspeed二、Wolfspeed系列：C3D/C4D/C6D三代同堂

Wolfspeed（原Cree功率器件部门）是全球SiC器件出货量最大的厂商之一，其SiC肖特基二极管按工艺代际划分为C3D（第三代）、C4D（第四代）与C6D（第六代）三大系列。代际更新的核心方向是降低单位面积导通损耗（更小的VF×电流密度）、提升浪涌能力并压低高温漏电，但各代际型号长期并行在产，方便工程师按成本与性能取舍。——Wolfspeed官网「Silicon Carbide Schottky Diodes」产品线

2.1 C6D20065A：650V/20A经典主力

C6D20065A是第六代650V/20A的代表型号，采用TO-220-2封装，25℃下典型正向压降VF约1.27V，反向恢复时间近零、开关损耗极小，广泛用于OBC车载充电机PFC、光伏逆变器Boost级与服务器电源。20A电流档匹配3-6.6kW OBC的单路PFC需求，也是功率工程师最熟悉的650V档位型号之一。——Wolfspeed官网「C6D20065A」数据手册

2.2 C6D10065E与C6D08065G：贴片化的第六代

C6D10065E（650V/10A）采用TO-252（DPAK）贴片封装，适合自动化贴片产线与紧凑电源设计；C6D08065G（650V/8A）采用TO-263（D2PAK）封装，片体更大、散热路径更好，适合对PCB铜箔散热有要求的布局。两者均保留第六代低VF与高浪涌特性，是中小功率段的贴片替代首选。——Wolfspeed官网「C6D10065E」「C6D08065G」产品页

C3D/C4D系列虽然代际较老，但凭借成熟的供应链与成本优势，在工控电源、充电桩辅助电源等非极致效率场景仍有大量存量设计。选择时建议优先考察VF、Qc（储存电荷）、IFSM（浪涌电流）三项参数，而非只看「第几代」标签。——Wolfspeed官网产品选型表

英飞凌三、英飞凌CoolSiC系列：IDH与IDW双封装布局

英飞凌CoolSiC肖特基二极管以IDH/IDW为前缀，其中IDH对应TO-220通孔封装、IDW对应TO-247通孔封装，后缀C6/C5/C7等标识工艺代际。命名中的电压电流规则与Wolfspeed类似：IDH10G65C6即650V/10A，IDW40G120C5B即1200V/40A。——英飞凌官网「CoolSiC™ Schottky diodes」产品线

3.1 IDH10G65C6：650V/10A第六代

IDH10G65C6是英飞凌第六代650V/10A CoolSiC二极管，TO-220封装，25℃下总储存电荷Qc约14.7nC，浪涌电流IFSM约55A，主打高频PFC与LLC整流场景。第六代工艺显著降低了VF与Qc的乘积（即品质因子），在轻载效率敏感的应用中优势明显。——英飞凌官网「IDH10G65C6」数据手册（Rev.2.0）

3.2 IDW40G120C5B：1200V/40A大电流档

IDW40G120C5B是第五代1200V/40A器件，TO-247封装，IFSM高达约290A，适合直流充电桩功率模块、储能变流器与800V平台相关电源的大电流整流。TO-247的大片体配合底部散热片，可承载40A级别的连续电流而温升可控。——英飞凌官网「IDW40G120C5B」产品页

英飞凌还在IDH/IDW基础上推出了车规级IDH…HR系列（通过AEC-Q101认证），并在第七代工艺中引入更高电流密度，但650V/1200V的电压档位与命名规律保持稳定，工程师可平滑迁移。——英飞凌官网CoolSiC二极管车规产品页

罗姆四、罗姆SCS系列：数字首位的电压密码

罗姆SCS系列是日系SiC SBD的代表，命名规则为「SCS + 电压系列数字 + 电流 + 封装/代际后缀」。关键密码在于电压系列数字：2代表650V档、3代表1200V档，例如SCS210AG是650V/10A，SCS310AP则是1200V/10A——两字之差电压翻倍，采购时极易混淆，务必核对。——罗姆官网「SiC Schottky Barrier Diodes」产品页

4.1 SCS210AG / SCS310AP：10A双电压档

SCS210AG（650V/10A/TO-220AC）与SCS310AP（1200V/10A/TO-220AC）是罗姆10A档位的两大主力，前者用于400V母线系统的PFC与整流，后者用于更高电压裕量的工业电源。罗姆官网明确标注SCS310AP为1200V器件，与部分渠道误标「650V」的描述不同，请以官网数据手册为准。——罗姆官网「SCS210AG」「SCS310AP」数据手册

4.2 SCS220AE2：650V/20A的TO-247N，注意不是1200V

SCS220AE2是650V/20A器件，采用TO-247N封装，用于大功率PFC与充电桩辅助电源。这里特别提醒：SCS2系列全部是650V档，SCS220AE2「220」中的2是电压系列码而非1200V的意思，其额定耐压就是650V——不少工程师因「20A+TO-247」误判其为1200V器件，这是罗姆命名体系中最常见的误读。——罗姆官网「SCS220AE2」产品页与数据手册

罗姆SCS系列另有「HR」后缀车规版本（如SCS210AGHR）与「E2/E3」等代际/封装微调后缀，选型时需同时核对电压系列数字与封装后缀，避免「看起来像、参数不对」的替换事故。——罗姆官网车规SiC SBD产品页

意法半导体五、ST STPSC系列：高浪涌与车规双线并进

意法半导体STPSC系列命名直观：STPSC + 电流 + 电压。电压用数字直接表示：6H065即650V档（065），20H12即1200V档（12），中间的H代表高浪涌（High surge）设计，封装后缀D对应TO-220AC、W对应D²PAK、C对应TO-247等。——ST官网「Silicon Carbide Diodes」产品线

5.1 STPSC6H065D：650V/6A中小功率

STPSC6H065D是650V/6A高浪涌SiC肖特基二极管，TO-220AC封装，适合适配器PFC、LED驱动与辅助电源等中小功率场景。ST的高浪涌设计在电网浪涌冲击下的耐受能力优于普通规格，适合对瞬态裕量敏感的消费与工业电源。——ST官网「STPSC6H065D」产品页

5.2 STPSC20H12：1200V/20A高浪涌

STPSC20H12是1200V/20A高浪涌功率肖特基二极管，提供TO-220AC、D²PAK与TO-247 LL多种封装，Qc约129nC量级，适用于充电桩、工业驱动与光伏。ST另有车规「-Y」后缀版本（如STPSC20H12-Y），通过AEC-Q101认证并支持PPAP，供汽车平台使用。——ST官网「STPSC20H12」数据手册

STPSC系列在1200V档还覆盖2A-40A全电流谱系，封装后缀种类多于多数竞品，这既是选型的便利也是容易看错的点——同名型号不同封装后缀，热阻与可焊性完全不同。——ST官网STPSC系列选型表

安森美六、安森美FFS系列：EliteSiC品牌化整合

安森美将碳化硅产品统一归入EliteSiC品牌，二极管以FFS/FFSP前缀命名（FF=二极管品类、S=SiC，P=功率级），电压电流直接体现在型号中。FFSP1065B即EliteSiC 650V/10A器件，TO-220-2L封装，25℃下Qc约25nC、IFSM约80A量级。——安森美官网「FFSP1065B」数据手册（Publication Order Number: FFSP1065B/D）

FFSP1065B采用安森美自有晶圆产线与「温度无关开关特性」设计，反向恢复电流近零，用于光伏组串逆变器、EV充电器与数据中心电源的PFC级。安森美还提供「-F085」车规后缀版本（FFSP1065B-F085），满足AEC-Q101车规认证，实现工规与车规同平台覆盖。——安森美官网「FFSP1065B-F085」产品页

值得关注的是，安森美在650V/1200V档位持续扩充FFS系列电流谱系（4A-40A），并借助8英寸SiC产线降低单位成本——对大批量消费与车载电源客户，其成本曲线近年明显下移。——安森美官网EliteSiC产品线介绍

国产系列七、国产系列：G5S/B1D/HCF与三安、华润微、扬杰

国产SiC SBD经过近十年发展，已形成「泰科天润、基本半导体、海兰江」三大专精厂商加「三安光电、华润微、扬杰科技」综合集团的双梯队格局，650V/1200V档位量产型号齐全，工规PFC场景已实现大规模替代。——世强硬创平台国产SiC二极管产品库

7.1 泰科天润G5S系列：1200V大电流扛把子

泰科天润G5S系列主打1200V中高电流档：G5S12030B是1200V/30A（TO-247封装），G5S12050P是1200V/50A（TO-247AC封装，Qc约259nC），面向光伏逆变器、充电桩与储能的大电流整流。G5S系列具备正温度系数便于并联、最高结温175℃、零反向恢复电流等与进口主流一致的特性。——泰科天润官网、世强硬创平台「G5S12050P」产品页

7.2 基本半导体B1D系列：650V中功率主力

基本半导体（BASiC）B1D12065K是650V/12A器件，TO-220-2封装，Qc约38nC、VF约1.42V@12A，广泛用于通信电源PFC、服务器电源与充电器，其B1D系列在立创商城等国产渠道铺货充分、供货稳定。——基本半导体官网「B1D12065K」数据手册（Rev.1.2）

7.3 海兰江HCF系列：小电流高性价比

海兰江半导体HCF65S04D1是650V/4A器件，TO-220封装，IFSM约23A、VF约1.3V、Qc约17nC，用于适配器、照明驱动等小功率高频PFC。海兰江官网提供完整650V/1200V产品矩阵，覆盖TO-220、TO-220F、TO-252等封装。——海兰江半导体官网「SiC Diode」产品页

7.4 三安光电、华润微、扬杰科技

三安光电依托自建SiC衬底-外延-器件全链条产线，在650V/1200V SBD上快速放量，主攻光伏与车载；华润微以IDM模式推进SiC SBD系列化，瞄准工控电源与家电；扬杰科技（YJ）则凭借成熟的封装与渠道优势，在中小功率SBD市场以性价比著称。——三安光电、华润微、扬杰科技官网及世强硬创平台产品库

独特观点：国产与进口SiC SBD的差距已不在裸片参数（VF、Qc、IFSM同规格基本持平），而在车规认证积累与批次一致性——工规PFC、电源类应用完全可大胆国产替代；若进入车规主驱/充电机，则应优先选择已通过AEC-Q101并有整车量产案例的型号（如部分泰科天润、基本半导体车规款）。「参数达标即可用」在工规成立，在车规需加认证这道门槛。——火烈鸟站长知识库整理

对比表八、主流SiC SBD型号对比总表

下表汇总本文涉及的主流厂商代表型号，电压电流与封装均以各厂商官网数据手册为准，VF标注为25℃典型值（部分型号数据手册未给出统一typ值，标注「-」，请以具体手册为准）。——数据来源：Wolfspeed/英飞凌/罗姆/ST/安森美/泰科天润/基本半导体/海兰江官网数据手册

档位选择九、电压电流档位：从650V到3300V怎么选

SiC SBD的电压档位与母线系统电压强相关，选型第一原则是「耐压=母线电压×1.5-2倍降额裕量」，在此前提下再按功率与温升确定电流档。——Wolfspeed/英飞凌应用手册选型建议

• 650V档：用于400V直流母线系统，对应OBC车载充电机（3.3-22kW）、光伏组串逆变器、服务器电源PFC、空调热泵等，是出货量最大的档位。代表型号：C6D20065A、IDH10G65C6、SCS220AE2、FFSP1065B、B1D12065K、HCF65S04D1。——Wolfspeed官网650V产品线
• 1200V档：用于800V母线系统与高压工业，对应800V主驱、直流充电桩功率模块、储能变流器、工业变频。代表型号：IDW40G120C5B、STPSC20H12、G5S12050P。——ST官网1200V产品线
• 1700V档：用于轨道交通辅助变流器、光伏大功率集中式逆变与中压变频，代表厂商Wolfspeed、英飞凌、罗姆均有布局。——英飞凌官网1700V SiC产品页
• 3300V档：用于智能电网（STATCOM、SVG）、机车牵引与中压电力电子变压器，目前主要由Wolfspeed等头部厂商提供，电流档较低但耐压与可靠性要求极高。——Wolfspeed官网高压SiC产品线

电流档的选择则要结合VF、结温与散热：同样10A的器件，在TO-220与TO-252封装下可承载功率差异明显；高频应用优先低Qc型号（Qc直接决定开关损耗），大电流整流则优先低VF型号。——火烈鸟站长知识库整理

封装体系十、封装体系：TO-220/TO-247/TO-252/TO-263/DFN与模块

封装决定了散热路径、装配工艺与可承载电流，是型号选择中与电气参数同等重要的维度。——各厂商封装规格书

• TO-220（含TO-220AC/TO-220-2）：3引线插脚直插，金属片体带安装孔，适合10-30A中小功率，散热靠外接散热器或PCB铜箔，是650V档最普及的封装（C6D20065A、IDH10G65C6、SCS210AG均为此类）。——Wolfspeed/英飞凌/罗姆数据手册
• TO-247（含TO-247N/TO-247AC/TO-247 LL）：更大片体、更强散热，适合30A以上大电流与1200V档（IDW40G120C5B、G5S12050P、SCS220AE2、STPSC20H12）。——英飞凌/罗姆/ST数据手册
• TO-252（DPAK）与TO-263（D2PAK）：贴片封装，适配SMT自动化产线，热路径依赖PCB铜箔与过孔，适合中小功率紧凑设计（C6D10065E、C6D08065G）。——Wolfspeed数据手册
• DFN封装：无引线扁平封装，如650V/4A级小电流器件（部分厂商DFN5×6），寄生电感低、适合超高频小功率电源，但散热面积小。——世强硬创平台DFN封装SiC SBD产品库
• 功率模块：将SBD与SiC MOSFET/IGBT集成为半桥、全桥模块（如EasyPACK、62mm等），用于主驱逆变器与大功率充电模块，由厂商完成并联均流与封装互连。——英飞凌/Wolfspeed功率模块产品线

插脚与贴片的抉择要点：量产万台以上且产线有SMT能力时，TO-252/TO-263可显著降低装配成本；而需要外接大散热器的大电流场景，TO-247仍是主流。——火烈鸟站长知识库整理

采购鉴别十一、采购与鉴别：丝印、渠道、批次与车规认证

SiC SBD单价远高于硅二极管，市场存在翻新、拆机与假冒风险，采购环节需建立四道防线。——世强硬创平台正品保障体系介绍

11.1 丝印识别

各厂商在器件本体丝印型号、批次码与产地，Wolfspeed/英飞凌/罗姆官网均提供丝印图示可对照；丝印模糊、字体不对、型号与封装不符（如标注TO-220却是贴片器件）均为高风险信号。——Wolfspeed官网丝印识别说明

11.2 正品渠道

优先选择原厂授权代理商、官方商城（如ST eStore）或可信平台（世强硬创、立创商城等），索要原厂出货证明与COC；对价格显著低于市场均价的「全新原装」，务必警惕。——ST官网eStore、世强硬创平台

11.3 批次一致性

批量采购时要求同一批次出货，核对批次码；关键应用可要求厂商提供批次电参数抽测报告（VF/IR/IFSM），车规应用还需PPAP（生产件批准程序）文件。——英飞凌质量与可靠性文档

11.4 车规AEC-Q101

汽车电子应用必须选用通过AEC-Q101认证的器件（如IDH…HR、STPSC20H12-Y、FFSP1065B-F085等车规后缀型号），并关注HTRB（高温反偏）等可靠性测试报告；工规器件上车的风险在于温度循环与批次漂移不满足车规要求。——AEC-Q101标准、各厂商车规产品页

11.5 价格参考

650V/10A级SiC SBD批量价通常在个位数到十几元人民币（参考价，以市场实时为准）；1200V/40A+大电流器件数十元量级（参考价，以市场实时为准）。价格随产能周期波动明显，大批量建议走年度框架协议锁定供应。——立创商城/世强硬创实时报价（参考价，以市场实时为准）

误区澄清十二、常见误区：三个「想当然」

12.1 误区一：型号数字越大越好

「1200V一定比650V好」「50A一定比10A好」是新手最常见的误读。电压档位必须匹配母线系统，1200V器件用在400V母线上VF与成本都偏高；电流档过大则浪费成本与面积，过小则温升超标。正确做法是按场景匹配：先定电压裕量，再按损耗预算反推电流档。——火烈鸟站长知识库选型方法论

12.2 误区二：C3D和C6D可以随便混用

不同代际器件的VF、Qc、IFSM与开关特性不同，同一功率级混用会导致并联电流分配偏离设计、损耗核算失真甚至EMI恶化。若确需替代，应按最差参数重新仿真并做温升与浪涌验证。——Wolfspeed应用笔记「并联SiC二极管注意事项」

12.3 误区三：国产SiC SBD不如进口

如第七节所述，国产主流厂商在650V/1200V档的VF、Qc、IFSM等核心参数已与进口持平，工规场景性能差异可忽略；差距主要体现在车规认证时长与极端工况数据积累。按「参数达标、认证匹配」原则评估，国产是极具性价比的选择。——泰科天润/基本半导体官网产品参数对照

FAQ十三、FAQ：碳化硅肖特基二极管型号高频问题

延伸阅读十四、延伸阅读：构建完整SiC SBD知识体系

型号是入口，理解原理与场景才能真正用好器件。推荐继续阅读本知识库相关页面：基本概念（SiC SBD的JBS结构与材料物理基础）、选型指南（损耗计算与降额方法论）、应用场景（OBC/光伏/充电桩的器件匹配实践）。

若需对比SiC SBD与硅基器件、快恢复二极管的本质差异，可参阅硅基对比与快恢对比，从应用边界理解型号选择的底层逻辑。——火烈鸟站长知识库